MOSFET雪崩特性參數解析

一、EAS與EAR的定義

EAS單脈衝雪崩擊穿能量, EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低於Tj(max)為極限。

如果電壓過衝值(通常由於漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過衝電壓的安全值，其依賴於雪崩擊穿需要消散的能量。

EAR重複雪崩能量, 標定了器件所能承受的反複雪崩擊穿能量。以低於Tj（max）為極限。

二、雪崩能量、溫升、雪崩時間以及計算

三、在什麽的應用條件下要考慮雪崩能量

 對於那些在MOSFET的D和S極產生較大電壓的尖峰應用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對於反激的應用，MOSFET關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓餘量。

但是，一些電源在輸出短路時，初級中會產生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由於一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生極大的衝擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

四、雪崩擊穿（EAS/EAR）的保護

如上圖所示，可在變壓器（感性負載）兩端並接RCD吸收回路，以降低反向尖峰電壓，避免出現雪崩擊穿現象；串聯柵極電阻，並設置為合適值，以抑製dv/dt，增加關斷時間，從而抑製反向尖峰電壓，但是這又會增加關斷損耗，所以柵極電阻要設置在一個合適值；也可在MOSFET的DS間並接RC吸收回路以吸收反向尖峰電壓；大電流電路布線加粗、縮短距離，降低寄生電感。

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